El pasado mes de junio Qualcomm presentaba su propuesta de memoria de alto ancho de banda, usando pilas de LPDDR en lugar de recurrir a la memoria HBM más cara y escasa, la memoria HBC. Qualcomm presume de ofrecer hasta 133 TB/s de ancho de banda muy útiles en aceleradores para IA, tan demandados en estos días. Unos meses después Qualcomm ha conseguido la validación del silicio HBC y las primeras muestras estarán disponibles durante la primera mitad del próximo año.
Qualcomm valida su memoria HBC con hasta 133 TB/s de ancho de banda
La memoria HBC es un nuevo concepto para conseguir abaratar la memoria empleada en los aceleradores de IA, donde habitualmente se usa memoria HBM más cara. Qualcomm quiere que uses su memoria HBC, que apila chis DRAM LPDDR en un espacio vertical 3D con conexión TSV. Además de conseguir una gran capacidad de memoria y un menor coste final, Qualcomm también ha conseguido reducir el consumo energético. Estos tres factores pueden ayudar a los grandes servidores y centros de datos con el ahorro energético que tanto les preocupa en los últimos tiempos.
Memoria HBC: hasta 6 veces más ancho de banda por vatio que HBM
Además, la memoria HBC integra un chip para realizar cálculos más cercanos a la memoria y quitar trabajo a la GPU o CPU, una técnica similar a la que emplea HBM4 actualmente. La diferencia es que Qualcomm quiere economizar estas operaciones, ofreciendo hasta 6 veces más ancho de banda por vatio en su memoria HBC en comparación con la HBM.
Qualcomm AI250 estrenará la memoria HBC durante 2027
Según las pruebas de Qualcomm, la HBC de primera generación consiguió 133 TB/s en su aceleradora AI250, un aumento de 18 veces más respecto a la memoria LPDDR5X que utiliza el modelo AI200. Parece que la memoria HBC también se empleará en otras aceleradoras de la compañía, con una hoja de ruta que introducirá este nuevo modelo en otros productos de la compañía, comenzando con la AI250 durante el primer semestre del próximo año 2027.
Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!
