Samsung está logrando avances importantes en la fabricación de su nueva tecnología de memoria DRAM de sexta generación, llamada 1c DRAM. Según informes recientes, las tasas de éxito en la producción ya alcanzan entre un 50% y un 70%, una mejora significativa frente a niveles inferiores al 30% que se registraron el año pasado. Estos logros se suman a las mejoras logradas en su nodo de 2 nanómetros que Macron quiere que se fabriquen en Francia.
A diferencia de otros fabricantes, como SK Hynix y Micron, que mantienen la tecnología 1b DRAM para sus módulos HBM4, Samsung ha decidido apostar por un diseño más innovador con 1c DRAM. Aunque esta estrategia conlleva más riesgos en términos de desarrollo, la mejora en los rendimientos de producción abre la puerta a una fabricación más eficiente y a gran escala.
Para aprovechar estos avances, Samsung planea ampliar la capacidad de producción en sus fábricas de Hwaseong y Pyeongtaek, con las obras de expansión previstas para comenzar antes de finalizar el año. Esto también está alineado con sus planes de iniciar la producción masiva de módulos HBM4 a finales de 2025.
Aunque todavía se encuentra en fases iniciales, la evolución de esta tecnología es seguida de cerca por especialistas. Originalmente, Samsung esperaba iniciar la fabricación en masa de esta DRAM en 2024, pero optó por rediseñar el chip para alcanzar mejores resultados, lo que provocó un retraso de más de un año.
Los nuevos chips DRAM se producirán en la línea 4 de la planta de Pyeongtaek, destinados tanto a dispositivos móviles como a servidores. Por otro lado, la producción específica de memoria HBM4 se llevará a cabo en la línea 3 del mismo complejo industrial.
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