Samsung comienza la fabricación en masa de su memoria HBM4, hasta 13 Gbps por pin, 3,3 TB/s de ancho de banda y 36 GB de capacidad

Samsung ha comenzado la fabricación en masa de su memoria de alto ancho de banda de cuarta generación, la HBM4. Esto es algo que ya había anunciado el pasado mes de diciembre, donde esperaba los resultados de las primeras muestras para comenzar esta fabricación en masa. Además, Samsung ya ha comenzado a enviar las primeras muestras comerciales a los clientes que tendrán la oportunidad de probar esta nueva memoria que cuenta con un proceso de fabricación avanzado.

Samsung comienza la fabricación en masa de su memoria HBM4

La memoria HBM4 de Samsung consigue una velocidad de transferencia constante de 11,7 Gbps, pero es capaz de llegar hasta los 13 Gbps. Construida con un nodo avanzado de sexta generación 1c de Samsung (proceso de 10 nanómetros), junto con una lógica fabricada en 4 nanómetros. Para esta generación, Samsung ha optado por un salto a nodos más avanzados, una optimización del diseño y aumentar el margen de rendimiento para ofrecer una memoria más rápida, fiable y con menor consumo.

Samsung ha conseguido superar las especificaciones de la JEDEC ofreciendo hasta 11,7 Gbps por cada pin

Las cifras de Samsung citan una velocidad de 11,7 Gbps, que consiguen superar en un 46 % el estándar de la industria fijado en 8 Gbps por pin. Además, también consigue un incremento de 1,22 con respecto a los 9,6 Gbps que ofrece actualmente HBM3e, aunque en HBM4 hay margen hasta los 13 Gbps por pin, nos recuerda el fabricante coreano. También se ha aumentado el ancho de banda total por cada pila, una cifra que ha aumentado 2,7 veces respecto a la HBM3e, con un máximo de 3,3 TB/s.

En cuanto a la capacidad, Samsung ha conseguido apilar 12 capas, consiguiendo capacidades desde los 24 GB hasta los 36 GB. Una tecnología que evolucionará en el futuro hasta las 16 capas y con ofertas de memoria HBM4 de hasta 48 GB.

Actualmente, se ofrecen pilas de 12 capas y hasta 36 GB, en un futuro se ofrecerán 16 capas con hasta 48 GB

Esta nueva generación de memoria también llega con una mayor eficiencia energética que permite abordar la duplicación de datos en la E/S de 1.024 a 2.048. Para esto se han añadido soluciones avanzadas de bajo consumo en el núcleo del chip, con una mejora de hasta el 40 % gracias a la tecnología TSV (Through-Silicon Via), junto con la tecnología PDN (Power Delivery Network) que reparte la electricidad de forma optimizada dentro del chip. Tecnologías que han permitido mejorar la resistencia térmica en un 10 % y aumentar la disipación de calor en un 30 % si la comparamos con HBM3e.

Samsung aprovechará las ventajas que ofrece contar con un negocio de fundición propio ligado a la división de memoria encargada de esta HBM4, como un alto estándar de calidad y un rendimiento acorde a una nueva generación. Además, también permitirá emplear un empaquetado avanzado, optimizando y reduciendo los ciclos de producción y entrega.

Samsung estima vender el triple de memoria HBM en este 2026

El fabricante está convencido de su éxito con HBM4, y estima que en el 2026 triplicará las ventas respecto al 2025. Para esto está ampliando y adaptando la producción de HBM4 que permitirá satisfacer esta demanda, y seguir avanzando para comenzar con las primeras muestras de HBM4e durante el segundo semestre de este mismo año, y ofrecer muestras personalizadas de HBM a los clientes en el 2027.

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