China se hace con un prototipo para litografía EUV realizando ingeniería inversa

China sigue avanzando para poder afrontar el veto impuesto por Estados Unidos, en cuanto al acceso de tecnología avanzada se refiere. El país asiático también tiene vetado el uso de maquinaria de ASML, imposibilitando pasar a nodos inferiores a los 7 o 6 nanómetros en la fabricación de sus chips. Pero esto no impide que siga buscando la forma de afrontar este problema ya que, según fuentes cercanas a Reuters, China ha conseguido un prototipo de máquina para litografía EUV.

China se hace con un prototipo de máquina para litografía EUV

La forma de conseguirla no es cuanto menos curiosa, y es que empresas del país han conseguido realizar ingeniería inversa para producir este prototipo que actualmente está en funcionamiento. Como no, la ingeniería inversa se ha realizado a los escáneres de ASML, y han logrado reproducir uno usando componentes de segunda mano. Uno de los inconvenientes es el tamaño, ya que el prototipo reproducido por China tiene un tamaño muy superior al modelo de ASML.

El prototipo se ha conseguido realizando ingeniería inversa a un escáner de ASML

El gobierno, junto con HUAWEI, están empeñados en conseguir una cadena de suministro sin depender de tecnología de Estados Unidos y otros países que le han impuesto el veto. El gobierno prevé que puede empezar a construir chips con tecnología avanzada para el 2028, mientras siguen trabajando en mejorar el actual nodo de 7 nanómetros que ofrece la tecnología de SMIC.

China quiere usar maquinaria EUV para el 2028

También se conoce que HUAWEI estaría probando una máquina con tecnología LDP (Laser Discharge Plasma), que se puede acercarse al rendimiento de una máquina EUV. Pero con este nuevo prototipo, China nos muestra sus intenciones de mejorar la tecnología de fabricación de chips, mientras prueba estas obleas para asegurarse que esta nueva versión EUV funciona correctamente. Deberá comprobar su capacidad de resolución para nodos avanzados, estabilidad y rendimiento, y sobre todo la perfecta integración con los procesos de fabricación de los semiconductores existentes.

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