La memoria HBM está muy demandada por los fabricantes que tienen en el mercado aceleradoras para los centros de datos, ya que su principal uso es ofrecer una memoria muy rápida para este tipo de tareas. Los fabricantes siguen avanzando para ofrecer memorias cada vez más capaces, como las HBM4E de Samsung que se han dejado ver con un ancho de banda de hasta 13 Gbps por cada contacto. Esto supone memorias HBM4E de hasta 3,5 TB/s de ancho de banda.
Las HBM4E de Samsung alcanzarán un ancho de banda de hasta 3,5 TB/s
Estas memorias de próxima generación han sido mostradas por Samsung en el OPC Global Summit, donde se han dejado ver también las HBM4, junto con estas más rápidas HBM4E que alcanzan esta increíble cifra. Si comparamos las actuales HBM3E con estas HBM4E, podemos decir que las de próxima generación tiene un ancho de banda de 2,5 veces más respecto a las actuales, y que además consumen prácticamente la mitad.
Hasta 2,5 veces más de ancho de banda con la mitad de consumo que las HBM3E
Una memoria que llegará en un futuro para abordar la cada vez más creciente necesidad de tareas de IA complejas, donde se necesita principalmente un acceso a memoria más rápido en las GPUs aceleradoras. Inicialmente veremos la HBM4, donde los principales fabricantes ya han excedido las especificaciones fijadas por la JEDEC. Unas memorias fabricadas con el proceso FinFET a 4nm de Samsung listas para una fabricación en masa a finales de este 2025 y a tiempo para satisfacer la necesidad de NVIDIA para sus nuevas aceleradoras Vera Rubin.
Las HBM4 de Samsung comenzarán a fabricarse a finales de este año
El siguiente paso se dará con las HBM4E, que llegarán más adelante con estas sorprendentes cifras de ancho de banda.
Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!
