SK Hynix ha mostrado sus memorias HBM4 de 12 capas con velocidades de hasta 2 TB/s

Además de nuevas memorias CXL 2.0 con capacidades que llegarán hasta los 128 GB, SK Hynix también ha presentado sus avances en cuanto a memoria de alto ancho de banda. Aprovechando el Simposio Tecnológico TSMC 2025 celebrado en Santa Clara, California, el fabricante ha mostrado sus soluciones de memoria HBM4 disponibles bajo este último y más rápido estándar, habitualmente introducido en aceleradoras y tarjetas para IA.

Durante el evento, SK Hynix ha aprovechado para mostrar sus memorias HBM4 de 12 capas, unas memorias capaces de procesar hasta 2 TB/s. Junto con estas, también ha mostrado sus memorias HBM3e de 16 capas. Avances que pueden introducirse para sustituir las actuales HBM3e de 8 capas que tiene la GPU Blackwell B100, mostrada allí como producto exitoso que cuenta con las soluciones de memoria de SK Hynix.

También ha aprovechado para mostrar otras memorias con las que cuenta el fabricante, como los módulos RDIMM y MRDIMM para servidores basados en DDR5 y fabricados con un avanzado nodo de 10 nm de sexta generación. Disponibles con capacidades de 64, 96 y 256 GB para las MRDIMM, con velocidades de 12,8 Gbps, y módulos RDIMM de 64 y 96 GB con velocidades de hasta 8 Gbps, también ha enseñado un RDIMM 3DS (memoria apilada) de 256 GB.

Soluciones que permitirán seguir avanzando ante la alta demanda que necesitan datos más rápidos que está trayendo la Inteligencia Artificial, y que obligan a actualizar a los servidores y centros de datos con soluciones más capaces.

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