Samsung muestra su memoria zHBM con apilamiento vertical y 8 veces más rendimiento que HBM5

Ayer mismo comenzó el evento FMS (Future of Memory and Storage) celebrado en Santa Clara, California. Un evento en el que los grandes fabricantes de memoria llevarán su más avanzada tecnología para ofrecer soluciones de cara al futuro de la IA. Samsung también llevó su visión de memoria en 3D de próxima generación con sus modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, además también presentó la memoria V10 BV-NAND con más de 400 capas.

zHBM: apilamiento vertical que multiplica por 8 el rendimiento de HBM5

En cuanto a la memoria del futuro en 3D, zHBM está diseñada para la IA avanzada de próxima generación. Esta memoria es capaz de apilarse de forma vertical directamente sobre los aceleradores de IA, en lugar de seguir el diseño de instalarse al lado. Un diseño que permite ampliar el ancho de banda, gracias a su cercanía, y reducir el consumo energético.

Según Samsung, la zHBM es capaz de ofrecer hasta 8 veces el rendimiento de HBM5 y junto a la tecnología de unión de obleas lograr más de 10 veces la densidad de memoria de HBM5. Pero estas no son todas las ventajas, también será capaz de triplicar la eficiencia energética y reducir a la mitad la resistencia térmica, mejorando la estabilidad en sistemas de alto rendimiento. Además, zHBM es totalmente personalizable y admite los diseños de cada fabricante en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA.

zNAND-O y V10 BV-NAND: más de 400 capas para almacenamiento masivo de IA

También se presentó zNAND-O, una tecnología basada en su V-NAND con versiones en desarrollo de 4 y 8 capas. Una memoria que llegará para abordar las exigencias de la IA de extremo a extremo en tiempo real, a la vez que puede gestionar una gran cantidad de datos.

El gigante de la memoria coreano también presentó V10 BV-NAND, con la nueva arquitectura Bonding V-NAND. Cuenta con más de 400 capas para mejorar el rendimiento energético y la densidad de almacenamiento mediante la tecnología de unión de obleas. La densidad de memoria con V10 BV-NAND se ha aumentado hasta un 58 % respecto a la generación anterior. Esta memoria también ha mejorado la lectura y escritura de datos, mejorando las capacidades de aplicaciones para IA exigentes de próxima generación.

Innovaciones en la memoria actual: HBM4E y LPDDR5X-PIM

Samsung también ha dejado ver otras tecnologías más actuales durante este FMS, como sus memorias HBM4, HBM4E, HBM5 y LPDDR5X-PIM. Samsung ya ha enviado muestras de HBM4E, posicionándose como líder en este tipo de memoria para IA, y además también ha mostrado su modelo HBM5.

El gigante de las memorias también ha presentado la primera memoria LPDDR5X-PIM, que cuenta con procesamiento en el propio chip de memoria, que permite mejorar la gestión de los datos y de energía.

Producción integral para las exigencias de la industria de la IA

Samsung también ha recordado que posee infraestructura y capacidades para ofrecer soluciones integrales a sus clientes para respaldar las constantes y cambiantes necesidades de IA en la industria. El fabricante puede ofrecer desde el diseño del producto hasta su producción en masa, permitiendo acortar los ciclos de desarrollo y optimizar la tecnología con un mejor rendimiento y eficiencia energética.

Como vemos, Samsung está preparada para ofrecer soluciones de IA de cara al futuro.

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