China logra su primer acelerador de IA en 3D con DRAM apilada y evita depender del HBM extranjero

China ha dado un paso relevante en su carrera por construir una cadena de suministro de inteligencia artificial completamente doméstica. La compañía DFSX ha presentado el DF1000, un acelerador de IA que combina computación cerca de la memoria (near-memory computing) con tecnología de 3D DRAM, una alternativa propia que busca reducir la dependencia de la memoria HBM controlada mayoritariamente por fabricantes surcoreanos y estadounidenses.

El anuncio llegó durante una presentación pública en la que DFSX detalló no solo las características del DF1000, sino también una hoja de ruta que se extiende hasta 2028, con dos generaciones adicionales de aceleradores ya planificadas. El movimiento se enmarca en el esfuerzo más amplio de China por blindar su industria de IA frente a las restricciones de exportación impuestas por Estados Unidos sobre chips avanzados y memoria de alto ancho de banda.

Qué es el DF1000 y por qué usa 3D DRAM en lugar de HBM

El DF1000 es, según DFSX, el primer chip de IA de China construido enteramente con procesos de su cadena de suministro nacional. Se trata de un acelerador definido por software (software-defined chip) orientado a cómputo cerca de memoria, pensado para entrenamiento e inferencia de modelos de IA a gran escala en empresas tecnológicas domésticas.

La clave del diseño está en evitar el uso de HBM (High Bandwidth Memory), la memoria apilada que utilizan la inmensa mayoría de aceleradores de IA actuales, desde las GPU de NVIDIA hasta los chips de AMD. En su lugar, DFSX apuesta por su propia 3D DRAM, una memoria apilada verticalmente que, según la compañía, ofrece un balance similar de ancho de banda y eficiencia energética sin depender de proveedores externos.

DFSX no ha compartido cifras de rendimiento detalladas para el DF1000, aunque ha señalado internamente que sus estimaciones lo sitúan en un nivel comparable a soluciones ya existentes en el mercado.

La compañía ha subrayado que el DF1000 ya se encuentra en fase de envío (shipping) a clientes, lo que lo diferencia de anuncios puramente conceptuales. Esto resulta relevante en un contexto donde numerosos proyectos de silicio chino para IA se han quedado en fase de prototipo debido a las dificultades para escalar la fabricación con equipos de litografía avanzada, un ámbito donde las restricciones occidentales han golpeado con especial dureza.

Infinity Chiplet: el empaquetado 3.5D que sustituye a la HBM

Más allá del propio DF1000, DFSX ha presentado Infinity Chiplet, una arquitectura de empaquetado 3.5D (en realidad descrita como 3.5D+) que actúa como respuesta directa a las limitaciones de acceso a memoria HBM. Esta tecnología se apoya en tres pilares.

El primero es el apilado 3D para sustituir estructuras de almacenamiento de datos tradicionales, lo que permite ahorrar área de chip y ganar ancho de banda dentro de la misma superficie. El segundo pilar es precisamente el uso de 3D DRAM como sustituto funcional del HBM. El tercero busca mejorar las características eléctricas de entrada y salida (I/O) aprovechando que, al prescindir de HBM, se liberan recursos de energía que antes iban destinados a esa memoria.

En la práctica, Infinity Chiplet permite combinar varios chiplets (die de lógica, die de memoria y die de interconexión) en un único paquete 3.5D, una aproximación que recuerda conceptualmente a los empaquetados avanzados que utilizan compañías como NVIDIA o AMD, aunque construida desde cero con procesos chinos.

La hoja de ruta: DF2000 en 2026, DF3000 en 2028

DFSX no se ha quedado en el DF1000. La empresa ha confirmado que el DF2000 llegará a comienzos de 2027, aunque su producción empezaría ya en el último trimestre de 2026. Este segundo acelerador prometería hasta 1.000 TFLOPs en BF16, 2.000 TFLOPs en FP8 y 4.000 TFLOPs en FP4, además de 15 TB/s de ancho de banda de memoria gracias a un diseño avanzado de 3D DRAM y 1.600 GB/s de ancho de banda de interconexión para escalado.

El DF2000 se fabricaría con un proceso de 14 nanómetros, un nodo relativamente maduro si se compara con los procesos de vanguardia que utilizan NVIDIA o AMD en sus aceleradores más recientes, lo que confirma que China sigue limitada en el acceso a litografía puntera.

La compañía ha ido más allá y ha esbozado también el DF3000, previsto para 2028. Este tercer acelerador duplicaría la capacidad de cómputo del DF2000, alcanzando 2.000 TFLOPs en BF16, 4.000 TFLOPs en FP8 y 8.000 TFLOPs en FP4, junto con 20 TB/s de ancho de banda de memoria y 3.200 GB/s de ancho de banda de interconexión.

Contexto: la carrera china por la independencia en IA

El desarrollo del DF1000 y de Infinity Chiplet no puede entenderse sin el telón de fondo de las restricciones de exportación que Estados Unidos mantiene sobre determinados chips de IA y memoria de alto rendimiento con destino a China. 

DFSX se suma así a una lista creciente de fabricantes chinos que intentan cerrar la cadena de valor completa de la IA sin depender de proveedores extranjeros, un objetivo estratégico que China ha convertido en prioridad nacional. El DF1000 es, de momento, un producto de nicho frente al dominio que mantienen NVIDIA o AMD en el mercado global de aceleradores de IA, pero la hoja de ruta hasta el DF3000 en 2028 deja claro que DFSX no plantea esto como un proyecto puntual, sino como una apuesta a largo plazo dentro del ecosistema de semiconductores chino.

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