SK Hynix ha introducido su primera máquina High NA EUV para la fabricación de DRAM de próxima generación

Los fabricantes de semiconductores siguen pensando en el futuro, con procesos avanzados y técnicas que mejoren estos procesos para hacerlos más eficientes. Para esto, SK Hynix ha introducido su primera máquina comercial que usa un sistema de litografía High NA EUV, que ha instalado en su fábrica M16 situada en Icheon, en Corea del Sur. SK Hynix ha celebrado este hito con el que dará comienzo a la fabricación de DRAM de próxima generación.

El fabricante quiere establecer una cadena de suministro global de vanguardia con la instalación de esta nueva maquinaria, que ofrecer la confianza a sus clientes para obtener el mejor producto. Esta tecnología permitirá escalar las celdas de memoria que llevarán a mejorar la productividad en la fabricación de memoria, pasando de la tecnología avanzada que ofrece EUV que ya introdujo en 2021 hasta esta nueva High NA EUV. Así, SK Hynix se prepara para el futuro de la memoria que necesitará de un escalado extremo, así como una mayor densidad.

El sistema de litografía High NA EUV permitirá ofrecer memoria de próxima generación con mayor densidad

Como no, se trata de un modelo TWINSCAN EXE:5200B de ASML, que permite la impresión de transistores hasta 1,7 veces más pequeños junto con densidades de los mismos hasta 2,9 veces mayores. Esto supone una mejora de hasta el 40% respecto al actual sistema EUV.

Una tecnología que permitirá adelantar la fabricación de memoria de próxima generación, así como reducir los costes de producción aumentando el rendimiento del producto final. SK Hynix pretende introducirse de lleno en el mercado de la memoria de alto rendimiento ofreciendo este avanzado sistema de fabricación.

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