SK hynix envía las primeras muestras de memoria HBM4E: 48 GB a 86 Gbps por pin

La memoria HBM4E está viviendo su momento dulce ante las altas expectativas que ha generado para chips de aceleración de IA y otros usos de computación específica de altas prestaciones.

Ahora, SK hynix ha anunciado el envío de sus primeros chips de memoria HBM4E a sus clientes. Se trata de chips de muestra para utilizar en el desarrollo de futuros productos con este tipo de memoria. Los modelos de la compañía ofrecen un diseño de 12 capas apiladas con un ancho de banda de 16 Gbps por cada pin de conexión, y una mejora de 6 Gbps respecto del actual estándar HBM4.

Los chips de memoria HBM4E de SK Hynix consiguen una capacidad de 48 GB por chip apilado de 12 capas, por lo que los fabricantes podrán utilizar varios de esos chips para conseguir aceleradoras con cantidades muy altas de memoria. Un sistema con cuatro de estos chips ofrecería 192 GB de capacidad.

Las nuevas memorias ofrecen una mayor eficiencia energética; en concreto, la compañía habla de un 20% más que la pasada generación, junto con una resistencia al calor mayor de un 17%.

Samsung ya envió sus primeras muestras HBM4E el pasado mayo, pero con un ancho de banda inferior a las de SK Hynix

En esta ocasión, la compañía ha ido detrás de Samsung en plazos, que ya comenzó los envíos de las primeras muestras de sus chips HBM4E de 12 capas a finales del pasado mes de mayo. Sin embargo, las memorias de Samsung ofrecen un ancho de banda inferior con 14 Gbps por pin, 2 Gbps menos que la solución de SK Hynix.

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